El 26º Simposio de Tecnología comenzó recientemente y, como era de esperar, TSMC fue uno de los oradores clave del evento. Durante su tiempo en el podio, el fabricante de semiconductores y fundición con sede en Taiwán habló sobre su progreso con sus nodos de proceso de 7nm N7, 5nm N5, N4 y 3nm N3.
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Además del proceso actual, TSMC también habría compartido algunos detalles sobre el futuro más allá de 3nm, algo que la compañía llama tecnología 3DFabric. Según Tom’s Hardware, el concepto de 3DFabric se centra en tecnologías de embalaje avanzadas y, como tal, se determinó que las tecnologías de embalaje 3D serían el siguiente paso después de 3 nm.
Para ser claros, esta no sería la primera incursión de TSMC en el desarrollo y fabricación de técnicas de empaque 3D; Hasta la fecha, la empresa ha utilizado tecnologías como Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS), Integrated Fan Out (InFO-R), Chip on Wafer (COW) y Wafer-on-Wafer (WoW). Todos ellos ahora forman parte de su nueva familia 3DFabric.
En cuanto a lo que TSMC pretende desarrollar con su nueva tecnología 3DFabric, probablemente nos espera una larga espera. Después de todo, se anunció que la tecnología tendrá lugar después del desarrollo de 3 nm, lo que significa que es posible que solo veamos algo parecido a la tecnología en algún momento después del año 2022.
Volviendo al 5nm, TSMC dice que su procesador N5 de 5nm ofrecerá escalado de nodo completo en comparación con el nodo de proceso actual de 7nm, así como hasta un 15% más de rendimiento. O con la misma potencia que la litografía de matriz de 7 nm o con un 30% menos de potencia. Además, TSMC dice que la curva de aprendizaje de densidad de defectos para 5 nm sería significativamente más rápida que el proceso de 7 nm y eso podría resultar en tasas de rendimiento más altas.
(Fuente: Tom’s Hardware, AnandTech)
