SK Hynix presenta HBM2E DRAM con ancho de banda de 460 GB por segundo

SK Hynix presenta HBM2E DRAM con ancho de banda de 460 GB por segundo

SK Hynix ha lanzado oficialmente su propia HBM2E DRAM, lo que la convierte en la segunda empresa en hacerlo, después de Samsung. Lo que distingue a su memoria HBM2E de su competidor coreano son sus velocidades, que domina al tener el mayor ancho de banda de su clase.

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Según la publicación oficial de SK Hynix, su memoria HBM2E es capaz de alcanzar la friolera de 460 GB / s que, a su vez, se basa en 3.6 Gbps por pin con 1024 E / S. Para el contexto, eso es un salto aproximado del 50% sobre la generación actual HBM2. Además, la memoria también se puede apilar verticalmente con un máximo de ocho chips de 16 gigabits a la vez. Formando un paquete único y denso de 16 GB de capacidad.

Tal como se pretendía desde la creación de la primera generación de memoria de gran ancho de banda (HBM), SK Hynix apunta a que HBM2E se utilice en GPU de alto rendimiento. Dedicado a tareas de precisión y sensibles a la misión, incluido el aprendizaje automático, el aprendizaje profundo y la supercomputación, por nombrar algunos.

La AMD Radeon VII es la última tarjeta que se envía con el estándar de memoria HBM2.

En otra nota, es poco probable que HBM2E alguna vez adquiera una tarjeta de consumidor ahora o en el futuro. Tal como está, la marca de GPU NVIDIA solo usa el formato de memoria para sus supercomputadoras Tesla y DGX, y AMD prácticamente ha abandonado el estándar de memoria para el formato de memoria GDDR6 más amigable para el consumidor para sus GPU de la serie Radeon RX 5700.

En cuanto a cuándo estará disponible HBM2E, SK Hynix dice que tiene la intención de poner el nuevo estándar de memoria en producción en masa para 2020, afirmando que ese será el año en que “se espera que se abra el mercado HBM2E”.

(Fuente: SK Hynix a través de Hot Hardware)

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