El gigante coreano cuenta con una posición de liderazgo en muchos campos de la electrónica de consumo.
Sin lugar a dudas, uno de ellos es el negocio de los semiconductores.
Basta mencionar la introducción de 3D NAND, o mirar los recientes alardes de la introducción de la memoria gráfica de próxima generación: GDDR6. O un SSD en forma de tarjeta M.2 con una capacidad de hasta 8 TB.
Samsung mejora la tecnología conocida
Sin embargo, fue en el campo de la memoria donde Intel y Micron lograron frotar la nariz de Samsung con 3D XPoint. El merecido reconocimiento obtenido por las unidades Intel Optane movilizó al líder en el segmento de almacenamiento. Actualmente se están preparando SSD con la tecnología Z-NAND recientemente desarrollada. Al mismo tiempo, será un gran retorno de memoria de tipo SLC (Celda de un solo nivel).
En la fase inicial del desarrollo de SSD, parecía que las unidades equipadas con huesos SLC eran el futuro de esta forma de almacenamiento de datos. Sin embargo, pronto resultó que hay otras formas de garantizar la confiabilidad y trabajar mejor para aumentar la capacidad y reducir el precio de 1 GB. Entonces, junto con las unidades de memoria MLC, hay modelos de TLC y, recientemente, también prototipos de QLC.
Sin embargo, para competir con Optane en el tema de la reducción de demoras, Samsung decidió que vale la pena desempolvar y mejorar la memoria SLC. Agregue un controlador mejorado y algunos otros cambios, y obtenemos una memoria con retrasos mucho más pequeños que el NAND clásico. La latencia que suena familiar es solo la mitad del valor de 3D XPoint.
Comparación de rendimiento con Intel Optane
En el folleto de Samsung, podemos averiguar qué rendimiento puede esperar de las nuevas unidades nombradas para un buen comienzo. SZ985. Por supuesto, esto se comparó inmediatamente con el Optane P4800X con una capacidad similar. El número de operaciones por segundo (IOPS) en una lectura aleatoria (750K) se ve mejor en Samsung. Sin embargo, la comparación del récord ya está a favor de Intel en la proporción de 550K a 175K. SZ985 gana en transferencia secuencial tanto en lectura como en escritura. La durabilidad calculada por la relación DWPD (escrituras de unidad por día) es comparable.
Como puede ver, mejorando la tecnología ya conocida, logramos obtener resultados realmente buenos. Las diferencias en el rendimiento de Z-NAND y Optane significan que en lugar de apuntar a la victoria de uno de ellos, puede concentrarse en elegir una mejor solución para aplicaciones específicas. Como en el caso de las unidades Intel, la nueva solución está dirigida principalmente a clientes profesionales. El creciente mercado de big data da la impresión de que podría consumir todas las cantidades de GB o IOPS que se le arrojen. En definitiva, se indicará el ganador del duelo cuando conozcamos los precios (tasa de conversión por 1 GB) de la nueva solución.
Y que el Z-NAND no será barato es más que seguro. Quizás el conocimiento de los precios prohibitivos típicos de la mayoría de las innovaciones técnicas pueda facilitar hasta cierto punto nuestra espera a que las unidades Samsung descritas comiencen a utilizarse en nuestras PC.
Fuente: Samsung, registro
