Samsung ha comenzado oficialmente a producir en masa sus SSD SATA de 250 GB con su controlador V-NAND de 256 gigabits y 3 bits de sexta generación. El nuevo controlador es supuestamente la solución de la marca, la limitación de apilamiento de 3D NAND, que presenta un nuevo diseño de un solo nivel de más de 100 capas.
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Para entrar en detalles, el nuevo V-NAND almacena un 40% más de células en el nuevo SSD en comparación con la estructura anterior de un solo estado de 9 capas. Samsung explica que esto se logró construyendo una pila de moldes conductores de electricidad de 136 capas y luego perforando verticalmente agujeros cilíndricos (de arriba a abajo) en ellos. Para crear celdas de flash de trampa de carga 3D uniformes y uniformes (CTF).
Para minimizar aún más los errores y las latencias de lectura que generalmente vienen con capas de apilamiento demasiado altas, Samsung incorporó un “circuito de velocidad optimizada” que le permite lograr operaciones de escritura por debajo de 450 microsegundos y por debajo de 45 microsegundos para operaciones de lectura. La nueva pila de más de 100 capas también viene con un consumo de energía reducido en más del 15%.
Con la misma tecnología, Samsung dice que también podrá ofrecer soluciones V-NAND que comprenden 300 capas. Simplemente combinando tres de las más de 100 capas de pilas juntas, todo sin comprometer el rendimiento y la confiabilidad del almacenamiento.
Es probable que Samsung presente la nueva tecnología V-NAND en lo que podría ser la nueva línea de productos de estado sólido EVO, aunque la marca aún no ha anunciado el nombre oficial. Además, Samsung también planea ofrecer SSD V-NAND de 512 Gb y 3 bits y eUFS durante la segunda mitad de este año.
(Fuente: Samsung)
