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Samsung anuncia almacenamiento eUFS 2.1 con capacidad de almacenamiento de 1 TB

Samsung ha anunciado oficialmente su nuevo almacenamiento flash universal integrado (eUFS) 2.1 con una capacidad de almacenamiento de 1 TB hoy. Además, el gigante de la electrónica coreana también dijo que el medio de almacenamiento ya está en producción en masa.

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Antes de esto, la capacidad eUFS 2.1 de mayor capacidad de Samsung era de solo 512 GB. Ese medio de almacenamiento apareció por primera vez con el lanzamiento del Galaxy Note9, que tuvo lugar el año pasado durante el evento Unpacked de la marca en Nueva York. En cuanto a las especificaciones, el nuevo medio eUFS 2.1 de 1TB presenta 16 capas de chips flash V-NAND de 512 Gigabit, apilados uno encima del otro.

En términos de velocidad, el nuevo medio eUFS 2.1 de 1TB tiene velocidades de lectura y escritura secuenciales de 1000 MB / sy 260 MB / s, respectivamente. Mientras que sus velocidades de lectura y escritura aleatorias están clasificadas para 58000 IOPS y 50000 IOPS, respectivamente.

La existencia del medio eUFS 2.1 de 1TB de capacidad también da viabilidad a la posibilidad de que la versión premium de Samsung de su próximo teléfono inteligente insignia, el Galaxy S10 +, sea uno de los primeros dispositivos en presentar la nueva capacidad de almacenamiento. Específicamente, estamos hablando del Galaxy S10 + que viene con 12GB de RAM y una opción entre 256GB, 512GB y 1TB de almacenamiento.

Sin embargo, todo esto es solo especulación en este punto, y hasta que veamos lo que Samsung tiene que revelar durante su evento del 20 de febrero en San Francisco, le recomendamos que tome esta noticia con la habitual pizca de sal.

(Fuente: Samsung)