Samsung está lista con una nueva familia de unidades de estado sólido convencionales, dirigida al segmento de mercado que anteriormente ocupaba su popular serie SSD 840 EVO. La nueva serie Samsung SSD 850 EVO es la continuación del SSD 850 PRO insignia actual de la compañía, pero el nuevo EVO es el primero de Samsung en incluir memoria flash MLC 3D V ‐ NAND de 3 bits de 32 capas. El cambio a flash MLC 3D V ‐ NAND de 3 bits de 32 capas (también conocido como TLC) reduce los costos, pero no afecta negativamente la resistencia porque la estructura de la celda no sufre las mismas limitaciones inherentes de la NAND plana, ya que las celdas se apilan verticalmente con 3D V ‐ NAND.
Tenemos un Samsung SSD 850 EVO de 500GB en el banco de pruebas y lo hemos comparado con el 840 EVO, así como con el 850 PRO de gama alta, y algunas otras unidades de clase entusiasta por si acaso. Sin embargo, antes de llegar al meollo de la cuestión, eche un vistazo a las especificaciones y vea cómo se compara el Samsung SSD 850 EVO …
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Samsung ofrecerá unidades de la serie SSD 850 EVO con capacidades que van desde 120GB hasta 1TB. Como la mayoría de los otros SSD, el rendimiento varía entre las diferentes capacidades, pero en general las especificaciones de la serie 850 EVO apuntan a unidades con un rendimiento líder en su clase, si los números son ciertos en el mundo real. Por supuesto, lo sabremos pronto.
Desde el exterior, no hay mucho que ver con respecto a las unidades de la serie Samsung SSD 850 EVO. Se ajustan al mismo factor de forma de 2,5 pulgadas que la mayoría de las otras unidades de estado sólido para consumidores y cuentan con una carcasa metálica básica con el logotipo de Samsung en la parte superior y el número de serie y otra información de identificación en la parte inferior. Las unidades también cuentan con una altura Z de 7 mm, que se está convirtiendo en la norma.
Al igual que otras unidades de estado sólido de Samsung, las carcasas de la serie 850 EVO se fijan con un trío de tornillos pentalobe, que son más oscuros que los tornillos Torx o hexagonales típicos que se usan en la mayoría de las otras unidades. Sin embargo, si tuviera las herramientas necesarias para abrir una de las unidades, verá que incluso estos gabinetes esbeltos de 7 mm y 2,5 ”son mucho más grandes de lo necesario.
La unidad que ve en la imagen aquí es un modelo SSD 850 EVO 500GB. Y como puede ver, la PCB es aproximadamente 1/3 del tamaño del gabinete. Todavía no tenemos 850 EVO de mayor capacidad para verificar, pero si son como la serie 840 EVO, el modelo de 1TB contará con un PCB más grande, pero aún será relativamente pequeño.
También debemos mencionar que esta unidad (y los modelos de 120GB y 250GB) cuentan con un nuevo controlador Samsung MGX de doble núcleo. El controlador es fundamentalmente similar al controlador MEX de triple núcleo utilizado en la serie 850 Pro recientemente lanzada, aunque obviamente se ha eliminado un núcleo. Samsung afirma que hizo este movimiento para ahorrar energía, porque el núcleo adicional no ayudó mucho al rendimiento en las unidades de menor capacidad. Mientras hablamos de energía, también debemos mencionar que la serie 850 EVO ofrece soporte para el modo Dev-Sleep de bajo consumo, que puede ayudar a extender la vida útil de la batería en dispositivos móviles.
Todas las unidades de la serie Samsung 850 EVO también cuentan con memoria caché DRAM LPDDR2-1066. La unidad de 120 GB tiene 256 MB de caché, la unidad de 250 GB y 500 GB tiene 512 MB de caché y la unidad de 1 TB tiene 1 GB de caché. Todas las unidades Samsung 850 EVO también están equipadas con memoria flash MLC NAND 3D V ‐ NAND de 3 bits y 32 capas de última generación de diferentes capacidades. La unidad de 500 GB que ve aquí tiene cuatro piezas de 128 GB de NAND, pero es probable que haya menos en las unidades más pequeñas y más en el modelo de 1TB. Sin embargo, si hace los cálculos, encontrará que las unidades dejan aproximadamente el 9% de la capacidad NAND para el sobreaprovisionamiento, lo cual es típico de muchos SSD actuales. Las calificaciones de resistencia son relativamente altas gracias al cambio a 3D V-NAND también: las unidades de 120GB y 250GB tienen una capacidad de 75 TBW, mientras que las unidades de 500GB y 1TB de mayor capacidad tienen una capacidad de 150 TBW.
Además de utilizar la memoria flash MLC NAND 3D V ‐ NAND de 3 bits de 32 capas, Samsung también ha dedicado una pequeña parte de la NAND para actuar como un búfer de escritura SLC; Samsung llama a la función TurboWrite. Esto permite que el TLC NAND funcione más como una unidad MLC para escrituras, siempre que el búfer no se agote.
TurboWrite debería permitir que la serie 850 EVO funcione muy bien en la gran mayoría de cargas de trabajo de clase de consumidor. Como puede ver en la captura de pantalla anterior (tomada de HD Tune Pro), las escrituras son mucho más rápidas cuando se utiliza el búfer TurboWrite, pero su efecto sobre el rendimiento puede ser un poco impredecible.
Otra característica interesante heredada de las unidades de generaciones anteriores se denomina RAPID. RAPID es un acrónimo de procesamiento acelerado en tiempo real de datos de E / S. Es una función del software Magician de Samsung (v4.2 o más reciente) que puede acelerar la unidad de manera significativa y se puede habilitar con un solo clic (seguido de un reinicio).
Samsung adquirió el desarrollador de software NVELO hace un tiempo, que era una empresa conocida por su tecnología de almacenamiento en caché SSD. El software de NVELO se utilizó para acelerar las transferencias de disco duro almacenando en búfer los bits de datos a los que se accede con más frecuencia desde el disco duro en un SSD más rápido. Bueno, RAPID funciona de manera similar, pero en el caso de las unidades de la serie Samsung 850 EVO, RAPID almacena en caché los bits de datos a los que se accede con más frecuencia en el SSD en una memoria del sistema más rápida. El tamaño de la caché se ajustará dinámicamente en función de los recursos del sistema disponibles y sigue los comandos de descarga de caché del sistema operativo, por lo que el riesgo de perder datos debido a un corte de energía inesperado no es mucho mayor que el de un sistema típico que usa almacenamiento en búfer de escritura. Sin embargo, los algoritmos de RAPID están ajustados específicamente para transferencias de estado sólido y son mucho más efectivos que cualquier caché de SO de la generación actual.
