Noticias, Gadgets, Android, Móviles, Descargas de Aplicaciones

PQI3200-1024DBU de PQI – RAM Turbo DDR400 de baja latencia


Recientemente, varias compañías de memoria de renombre han ofrecido nuevos módulos de memoria DDR de “baja latencia” capaces de funcionar con tiempos rápidos 2-2-2-5 a 400MHz. Estos chips, basados ​​en los últimos circuitos integrados de baja latencia de Samsung, han demostrado una estabilidad, compatibilidad y velocidad notables, así como el potencial de overclockear más de 500MHz DDR cuando se utilizan latencias relajadas.

Uno de los jugadores menos conocidos en este campo es PQI Designs. No hace mucho, PQI adquirió PMI Memory, incorporando su marca Turbo Series a la línea de productos PQI. Esto le ha dado a PQI una línea de productos mucho más amplia que incluye memoria de rendimiento, así como soluciones de almacenamiento flash de potencia industrial y otros productos comerciales.

Hoy echaremos un vistazo al primero de los módulos de la serie PQI Turbo para adornar nuestros laboratorios, la memoria de latencia ultra baja de canal dual PQI3200-1024DBU. Este paquete de 1GB (512MBx2) tiene disipadores de calor de cobre niquelado, tiempos agresivos y la promesa de alto rendimiento. Echemos un vistazo a lo que PQI aporta al juego, en la primera memoria de la Serie Turbo que se lanzará bajo el nombre PQI.

Especificaciones de PQI PQI3200-1024DBU – RAM Turbo DDR400 de baja latencia
Latencia baja = Rápida
Número de pieza:
PQI3200-1024DPU

Paquete:
Kit de 1024 MB (2×512 MB) paquete de doble canal

Latencia CAS:
2-2-2-5

Voltaje de prueba:
2,6 V

Velocidad:
DDR 400 MHz (PC3200)

Tipo:
DDR SDRAM de 184 pines

Comprobación de errores:
No ECC

Registrado / sin búfer:
Sin búfer

Organización:
Dos de 64 M x 64 bits

Placa PCB:
PCB de 6 capas

Control de calidad:
Completamente probado rigurosamente en pareja en un entorno de doble canal

Difusor de calor:
Cobre negro espejado

Garantía:
Toda la vida


El PQI3200-1024DBU es un paquete de doble canal que consta de dos módulos de baja latencia de 512 MB. Están construidos en una PCB de seis capas en una configuración de 64Mx64-Bit. Debajo de los difusores de calor se encuentran los módulos Samsung K4H560838F-TCCD clasificados para DDR de 500MHz en CAS 3-4-4. A 400MHz DDR, cada DIMM está clasificado para funcionar en CAS 2, RAS a CAS Delay (tRCD) de 2T, una Precarga de Fila (tRP) de 2T y un Activo a Precarga Delay (tRAS) de 5T, o 2-2-2 -5. Estos son los mismos circuitos integrados de Samsung que han recibido atención últimamente con la línea XMS de Corsair, la serie Ballistix de Crucial y la serie LII de Mushkin y han mostrado una excelente tendencia de rendimiento y overclocking. Lo que también vale la pena señalar es que los DIMM PQI están clasificados para 2.6v, que está dentro de los límites normales de las placas base actuales. Anteriormente, los módulos DIMM de gama alta con tiempos agresivos tenían requisitos de voltaje más altos, a veces más allá del alcance de varias placas base.

Con compañías como Corsair y Crucial que lanzaron recientemente módulos de baja latencia configurados para ejecutarse en los mismos tiempos agresivos, parecía haber poco para ayudar a PQI a diferenciarse. Los DIMM PQI vienen con disipadores de calor a base de cobre de alta calidad con un acabado negro espejado y una garantía de por vida, pero aparte de eso, es una tarifa estándar. La verdadera diferencia estará en las pruebas, donde veremos qué tan bien se desempeña la memoria a su velocidad nominal y también encontraremos las velocidades máximas de overclocking.