Samsung presentó recientemente una diapositiva durante la conferencia anual Hot Chips, mostrando un módulo de memoria DDR5 de 512 GB. No solo eso, sino que también se espera que el módulo de memoria funcione a la friolera de 7200MHz, que es más del doble de las velocidades de RAM DDR4 de 3200MHz.
Según los múltiples informes, el nuevo módulo de memoria seguirá los estándares actuales de especificaciones DDR5; los módulos se ejecutarán en los 1,1 V más bajos, junto con los tiempos JEDEC DDR5-7200 CL. Dicho esto, cabe señalar que incluso JEDEC no ha anunciado ningún momento para los módulos de memoria, al menos oficialmente de todos modos. A lo sumo, el organismo solo ha publicado dicha información para los módulos DDR5-6400.
Continuando, la presentación de Samsung también mostró que el nuevo módulo DDR5-7200 será el primer módulo de memoria en utilizar la tecnología de actualización del mismo banco (SBR) que está diseñada para aumentar la eficiencia de la conectividad del bus DRAM en aproximadamente un 10%. Además, el módulo de memoria también presentará el ecualizador de realimentación de decisiones (DFE).
En cuanto a cómo Samsung logró crear módulos de memoria con una capacidad tan enorme, los gigantes de la tecnología dicen que cada módulo comprende ocho matrices, apiladas juntas y, sin embargo, sigue siendo significativamente más pequeño que la pila actual de cuatro matrices en módulos de memoria DDR4. El proceso se conoce como topografías a través de silicio y, por su cuenta, reduce la brecha entre troqueles en alrededor de un 40%.
En cuanto a cuándo estará lista la nueva memoria RAM DDR5-7200, Samsung espera que su nuevo módulo RAM entre en producción en masa a finales de año, lo que significa que la disponibilidad podría estar a principios del próximo año.
(Fuente: AnandTech)
