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Intel y Micron presentan flash NAND de 25 nm

IM Flash Technologies es una empresa conjunta entre Intel y Micron que tiene como objetivo la producción de memoria flash NAND. Con un enfoque en la investigación y el desarrollo, IMFT ha duplicado la densidad NAND aproximadamente cada 18 meses. En 2006, comenzaron la producción con un proceso de 50 nm y luego pasaron a un proceso de 40 nm en 2008. Este co-desarrollo inevitablemente condujo a productos basados ​​en flash NAND más pequeños y asequibles con capacidades más altas, al igual que hemos visto en el mercado de SSD y con unidades flash USB durante los últimos años. El 1 de febrero de 2010 marcará el anuncio oficial de la tecnología NAND de 25 nanómetros de IMFT, un avance importante para la empresa. Intel y Micron ahora reclaman la tecnología de proceso de semiconductores lista para producción más pequeña del mundo. Las empresas describen sus esfuerzos colectivos como tales …

“Liderar toda la industria de los semiconductores con la tecnología de proceso más avanzada es una hazaña fenomenal para Intel y Micron, y esperamos ampliar aún más los límites de escala”, dijo Brian Shirley, vicepresidente del grupo de memoria de Micron. “Esta tecnología de producción permitirá importantes beneficios para nuestros clientes a través de soluciones de medios de mayor densidad”.

“A través de nuestra inversión continua en IMFT, estamos brindando tecnología y fabricación de liderazgo que permiten la memoria NAND más rentable y confiable”, dijo Tom Rampone, vicepresidente y gerente general de Intel NAND Solutions Group. “Esto ayudará a acelerar la adopción de soluciones de unidades de estado sólido para la informática”.

También tenemos un poco de video de la sesión informativa real sobre la nueva tecnología de 25 nm de IMFT, tal como se estaba dando. En el video anterior, puede escuchar al vicepresidente de Intel, Tom Rampone, y al vicepresidente de Micron, Brian Shirley, hablar sobre la tecnología de proceso de 25 nm y sus características y beneficios.

Oblea de 25 nm

Entonces, ¿qué significa esto para los consumidores? Básicamente, la contracción a 25 nm reduce el tamaño de los troqueles de los chips flash NAND, lo que permite densidades más altas y, por lo tanto, el número de chips dentro de los productos se puede reducir hasta en un 50% en comparación con la generación de procesos anterior. Permite diseños más pequeños pero de mayor densidad a menores costos. Por ejemplo, es posible que se pueda producir un SSD en particular utilizando solo 16 chips en lugar de 32. Los discos de estado sólido contarán con capacidades máximas mayores, mientras que los precios de las opciones actuales se reducirán aún más. Se nos dijo que esperáramos que el rendimiento estuviera a la par con los productos de 34 nm, aunque existen los beneficios intrínsecos obvios de una reducción de la geometría del dado desde el punto de vista del rendimiento.

Dispositivo MLC NAND de 8 GB – 167 mm²

Por supuesto, habrá una serie de productos basados ​​en esta tecnología a lo largo del tiempo. El primero será el primer dispositivo NAND monolítico de 8GB de la industria. Con un tamaño de troquel de 167 mm², es el doble de la capacidad de su pieza de 34 nm de densidad más alta en aproximadamente el mismo espacio. Es lo suficientemente pequeño como para caber a través del orificio en el medio de un disco compacto, pero puede almacenar más de 10 veces la capacidad de datos de un CD. Aproximadamente en el mismo sector inmobiliario, los fabricantes de SSD ahora podrán proporcionar el doble de capacidad que la generación anterior.IMFT está en camino de comenzar la producción de este dispositivo y espera comenzar a distribuirse en el segundo trimestre de este año. Los consumidores pueden esperar productos con memoria flash de 25 nm hacia finales de 2010.

Micron e Intel también apoyan la Open NAND Flash Interface (ONFI). ONFI es un consorcio de empresas de tecnología que trabajan para desarrollar estándares abiertos para la memoria NAND y los dispositivos de soporte. La formación del grupo se anunció inicialmente en el Intel Developer Forum en 2006 y comenzó el esfuerzo por estandarizar la interfaz de bajo nivel para los chips flash NAND que están en el mercado hoy. Una de las principales motivaciones para esto es facilitar el cambio entre chips de diferentes fabricantes, lo que permite un desarrollo más rápido de productos basados ​​en NAND y precios más bajos a través de una competencia más amplia entre fabricantes. Además de Intel y Micron, el consorcio ONFI está dirigido por varios fabricantes destacados de NAND como Hynix, SanDisk y Sony.

El dispositivo NAND de 8 GB que se muestra arriba es compatible con el estándar de interfaz ONFI 2.2, y ofrece hasta 200 MB / s de ancho de banda de rendimiento. Tanto Intel como Micron están satisfechos con él y sienten que está muy en sintonía con lo que han impulsado en el mundo DRAM, utilizando interfaces síncronas estándar para aumentar la velocidad. Esto es fundamental cuando los fabricantes de SSD confían en la comunicación de alta velocidad entre chips.