Intel lanzó oficialmente una hoja de ruta para su tecnología y proceso de desarrollo, desde ahora y hasta el año 2025. La hoja de ruta es una de las más detalladas hasta la fecha y enumera las próximas tecnologías de proceso y empaque del fabricante de chips.
En primer lugar, y yendo más allá de su proceso SuperFin de 10 nm, la convención de nomenclatura de las próximas litografías de Intel se deshará de la referencia “nm”. Al menos, ese parece ser el caso para las próximas tres generaciones. Como tal, estos nodos de proceso simplemente se conocerán como Intel 7, Intel 4 e Intel 3.
Según la información oficial, Intel 7 es lo que sigue en la hoja de ruta, después de que los 10 nm actuales del fabricante de chips hayan seguido su curso en el mercado. Anteriormente conocido como el proceso SuperFin mejorado de 10 nm, Intel dice que se espera que esta litografía de matriz ofrezca aproximadamente entre un 10% y un 15% más de rendimiento por vatio (PPW) que los transistores SuperFin de 10 nm actuales, además de tener más características mejoradas. Esto incluye una mayor tensión, materiales de menor resistencia, nuevas técnicas de modelado de alta densidad, estructuras aerodinámicas. E incluso mejor enrutamiento con sus pilas.
En términos de disponibilidad, Intel prevé que la producción de Intel 7 comience durante el primer trimestre de 2022.
Intel 4, por otro lado, es cuando Intel espera reducir aún más su nodo de proceso, de 10 nm a 7 nm. Además, será la primera adopción total de la empresa de la litografía de matriz EUV; una tecnología que TSMC y Samsung ya están usando con sus propios chips. En cuanto a su rendimiento, Intel dice que tendrá un 20% PPW sobre Intel 7, con producción durante la segunda mitad de 2022, mientras que se espera que el envío del producto ocurra el año siguiente.
La nueva tecnología RibbonFET de Intel.Intel 3 es el último producto en esta lista y será el nodo de proceso final que su fabricante dice que hará uso del proceso FinFET. Lamentablemente, el anuncio del fabricante de chips sobre esto no está lleno de muchos detalles, solo que entregará un 18% PPW sobre Intel 4 y que se espera que la producción comience en la segunda mitad de 2023.
Un punto importante a tener en cuenta es que las tres litografías todavía se basarán en el proceso SuperFin, y solo después de Intel 3, Intel pasará a un proceso completamente nuevo, con Intel 20A a la cabeza de la carga.
Nueva tecnología PowerVia, la primera implementación de la industria de Intel de la red de suministro de energía en la parte trasera.
La imagen de la izquierda muestra un diseño con cables de señal y alimentación entremezclados en la parte superior de la oblea. La imagen de la derecha muestra la nueva tecnología PowerVia.
Con Intel 20A, la compañía también presentará dos nuevas tecnologías “revolucionarias”: PowerVia y RibbonFET. Comenzando con PowerVia, Intel dice que la tecnología será la primera implementación en la industria de una entrega de energía en la parte trasera, que podemos ver a través de la sección transversal proporcionada. Al hacer esto, la compañía dice que optimiza el enrutamiento de la señal al tiempo que reduce la caída y el ruido.
RibbonFET, como puede imaginar, será una nueva arquitectura de transistores que reemplazará a FinFET, que se introdujo en 2011. Al igual que Intel 20A, no hay muchos detalles sobre el proceso, y es probable que solo escucharemos más cuando la producción del nodo aumente en 2024.
(Fuente: Intel [1] [2])
