Onlangs hebben we veel rapporten ontvangen over verschillende technologieën die het potentieel hebben om de status-quo in de geheugenmarkt in de toekomst te veranderen. Het volstaat om het 3D Xpoint-geheugen te noemen dat door Intel op de markt wordt gebracht, of projecten zoals MRAM of Toshiba XL-NAND. Maar dit is niet het einde.
Het nieuwste aanbod komt van het bedrijf Nantero, dat kan worden vergeleken met Arm op de geheugenmarkt. Nantero brengt de door haar ontworpen producten niet op de markt. Dit laat uw klanten die bij het bedrijf kopen met alleen alle “technische knowhow”. In de praktijk gaat het om het verkopen van een licentie voor het gebruik van een bepaalde technologie, en de wijze van implementatie en gebruik ligt bij de licentienemer. Tijdens de Hot Chips 2018-conferentie werd een van de projecten van het bedrijf, memory, gepresenteerd. NRAM – Nanobuis RAM.
NRAM heeft papieren om DRAM te vervangen
NRAM of CNT (Carbon NanoTube) gebruikt koolstofnanobuisjes om gegevens op te slaan. Ze worden tussen twee elektroden geplaatst en afhankelijk van hun toestand zijn ze verbonden en geleiden ze de lading (1) of niet (0). Hun staat wordt in stand gehouden door de invloed van Van der Waals, wat betekent dat ze, eenmaal verbonden, vrijwel voor altijd in deze staat blijven. Uiteraard totdat de elektrode weer elektrostatisch is opgeladen.
Een dergelijke structuur van de geheugencel zorgt voor zijn enorme duurzaamheid, die Nantero schat voor ongeveer 10.000 jaar op kamertemperatuur. Daarnaast stelt het bedrijf dat de gegevens tot 300 jaar intact blijven bij temperaturen tot 300 graden Celsius. Dat is niet alles, nanobuisjes kunnen vrijwel elk aantal keren van toestand veranderen. Deze geheugens verslijten niet, zoals NAND-geheugens, die na elke schrijfbewerking verslechteren. Nantero testte het geheugenbehoud zelfs na 4 miljard cycli van schrijven en wissen van gegevens en de parameters bleven ongewijzigd.
Alsof dat nog niet genoeg is, bevinden de verandering van de geheugenstatus en de datatoegangstijd zich op DRAM-niveau. Vertragingen zijn veel lager dan bij 3D Xpoint-geheugen, om nog maar te zwijgen van NAND. NRAM wordt geadverteerd als een oplossing die de voordelen van DRAM en NAND combineert, terwijl het goedkoper is dan het vorige type geheugen. Het is ook vermeldenswaard dat dit niet-vluchtig geheugen is. Ook bij een plotselinge stroomstoring gaan uw gegevens niet verloren. Het maakt niet uit voor de gewone gebruiker, maar in datacenters waar grote hoeveelheden RAM-bewerkingen worden uitgevoerd, is het een enorm voordeel in het geval van een stroomstoring.
We wachten op de commercialisering ervan
Alles ziet er erg mooi uit in de presentatie van de vertegenwoordigers van Nantero. Momenteel test het bedrijf dergelijke matrijzen die zijn geproduceerd in de 28nm-dimensie en die een capaciteit van 4 Gb (512 MB) voor één laag bieden, wat maximaal 4 kan zijn. Maar dit is nog maar het begin, de NRAM-geheugens zullen worden uitgebreid. tot de grootte van 7 nm en 8 lagen, waardoor de datadichtheid in de toekomst aanzienlijk moet worden verhoogd. Is het voldoende dat dergelijk geheugen NAND vervangt? Deze vraag is op dit moment moeilijk te beantwoorden.
Nantero neigt nu naar het gebruik van zijn geheugen in DDR4-modules en in de toekomst DDR5. Het zal echter waarschijnlijk nog lang duren voordat dat gebeurt. Fujitsu heeft blijkbaar op dit moment een licentie voor dit type geheugen verworven en zal mogelijk al volgend jaar producten tonen die op deze technologie zijn gebaseerd. Het zou erg handig zijn als je naar DRAM-prijzen kijkt. Op de dia’s lijkt het te mooi om waar te zijn.
bron: AnandTech
