Samsung is officieel begonnen met de massaproductie van zijn 250 GB SATA SSD’s met zijn zesde generatie 3-bit 256-gigabit V-NAND-controller. De nieuwe controller is vermoedelijk de oplossing van het merk voor de 3D NAND-stapelbeperking, met een nieuw ontwerp met één laag van meer dan 100 lagen.
ADVERTENTIE
Om in detail te treden, de nieuwe V-NAND slaat 40% meer cellen op in de nieuwe SSD in vergelijking met de vorige 9-laags structuur met één toestand. Samsung legt uit dat dit is bereikt door een stapel van 136-laags elektrisch geleidende mallen te bouwen en er vervolgens verticaal cilindrische gaten in te boren (van boven naar beneden). Om vloeiende en uniforme 3D Charge Trap Flash (CTF) cellen te creëren.
Om fouten en leeslatenties, die doorgaans gepaard gaan met te hoge stapellagen, verder te minimaliseren, heeft Samsung een “snelheid-geoptimaliseerde schakeling” ingebouwd waarmee het schrijfbewerkingen van minder dan 450 microseconden en schrijfbewerkingen van minder dan 45 microseconden kan bereiken. De nieuwe stapel met meer dan 100 lagen wordt ook geleverd met een meer dan 15% lager stroomverbruik.
Met dezelfde technologie zegt Samsung dat het ook V-NAND-oplossingen kan aanbieden die uit 300 lagen bestaan. Door simpelweg drie van de meer dan 100 stapellagen te combineren, allemaal zonder afbreuk te doen aan de opslagprestaties en betrouwbaarheid.
Samsung zal waarschijnlijk de nieuwe V-NAND-technologie introduceren in wat de nieuwe lijn van EVO solid-state producten zou kunnen zijn, hoewel het merk de officiële naam nog moet aankondigen. Daarnaast is Samsung van plan om in de tweede helft van dit jaar ook 512Gb 3-bit V-NAND SSD’s en eUFS aan te bieden.
(Bron: Samsung)
