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Almacenamiento UFS 3.1 y RAM LPDDR5: ¿qué hay detrás?

Y elige lo que más te convenga.

¿Qué es lo primero que miras al comprar un teléfono inteligente? Lo más probable es que el procesador, la cámara, el prestigio, la conveniencia del modelo. Sin embargo, quizás los aspectos más importantes sean, de hecho, la RAM y la capacidad de almacenamiento. Veamos por qué.

Un buen procesador, debido a la mala memoria, puede mostrar el resultado dos veces más malo de lo que mostraría si hay buena memoria.

Hace algún tiempo, empresas como Qualcomm, MediaTek, HiSilicon, Exynos estaban ganando popularidad rápidamente. Para procesadores potentes y rápidos, tuvimos que idear un estándar de memoria: Universal Flash Storage. En esto participó la empresa JEDEC, que hasta el día de hoy estandariza varias versiones de memoria.

Un gran avance en la memoria tuvo lugar en 2013, cuando la velocidad máxima comenzó a alcanzar hasta 600 MB / s para una línea de interfaz (como había 2 de ellos, el total fue de 1,2 GB / s). Esta modificación se denominó UFS 2.0. Más tarde, apareció una variante de UFS 2.1, pero se diferenciaba de UFS 2.0 solo ligeramente.

El estándar UFS 3.0 se lanzó en 2018. Ha sido adoptado oficialmente por Samsung y Micron. UFS 3.0 estaba dirigido no solo a teléfonos inteligentes, sino también a automóviles debido al crecimiento de varios chips tecnológicos en ellos (la presencia de los mismos pilotos automáticos requería la memoria más rápida y más protegida térmicamente, y ciertas modificaciones de UFS 3.0 resistieron desde -40 ° hasta + 105 ° С).

La velocidad teórica de UFS 3.0 alcanza 2.9 GB / s para lecturas secuenciales y 410 MB / s cuando hablamos de escritura (a modo de comparación, la memoria UFS 2.0 y 2.1 soporta 260 MB / s).

Si un teléfono inteligente combina una buena memoria y un procesador débil, lo más probable es que sea una cuestión de marketing y un intento de forzar la compra de un teléfono inteligente solo por la buena memoria. Si, por el contrario, el fabricante pone un procesador de gama alta y no la mejor memoria, el resultado es un deterioro en el rendimiento del smartphone.

Si compara el IQOO3 con memoria UFS 3.1 y el Xiaomi Mi 10 con memoria UFS3.0, encontrará que tienen la misma velocidad de escritura. Esto se debe a que también hay una modificación de memoria UFS 3.0 Write Turbo con una velocidad máxima de escritura de 750 MB / s. Esta versión fue desarrollada por Western Digital específicamente para teléfonos inteligentes con soporte para módems 5G.

Entonces, ¿cuál es la ventaja del almacenamiento UFS 3.1? Esta modificación agrega un búfer NAND SLC no volátil para aumentar la velocidad de escritura y una función de suspensión profunda para ayudar a poner la unidad en suspensión. Además, la unidad puede informar a otros componentes sobre la regulación, lo que permite que el sistema optimice el rendimiento en caso de sobrecalentamiento.

A pesar de todo esto, en la vida cotidiana, la diferencia entre la velocidad de UFS 3.0 y 3.1 es casi insignificante.

La RAM también afecta en gran medida la velocidad de un teléfono inteligente. La velocidad a la que la RAM transfiere datos al procesador es un factor decisivo en el rendimiento general del dispositivo. Es LPDDR5 que tiene tales velocidades.

El primer teléfono inteligente con LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) apareció a principios de 2020. La velocidad de rendimiento en LPDDR5 ha aumentado a 5,5 Gbps. Además, este tipo de RAM tiene un menor consumo de energía. Además, una diferencia importante entre la nueva memoria RAM es el sueño profundo, donde el consumo de energía puede mejorar hasta en un 50%, que es bastante.

Por lo tanto, muchos fabricantes pueden esconderse detrás de UFS 3.0 o 3.1, al tiempo que ofrecen un software de poca calidad, y este teléfono inteligente funcionará peor que un dispositivo que no tenga la última versión, sino una buena versión de memoria y otros buenos componentes. Por tanto, no es necesario llevar un teléfono con la última versión de memoria, es mucho más importante que otros elementos, como un software y un procesador, junto con esta memoria, puedan funcionar de forma fluida y precisa.

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